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應聘要求

1. 具有博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康；

2. 具有材料、物理、化學、微電子、光電等學科背景；

3. 近三年曾作為第一作者至少發(fā)表了1 篇具有一定影響力的研究論文。

4. 具有良好的團隊合作意識和獨立工作能力；

崗位職責

二維材料/寬禁帶半導體前沿交叉方向

分支1, 側(cè)重寬禁帶半導體，材料生長與器件研究:

1. 在二維材料上外延生長寬禁帶半導體，材料表征和測試；異質(zhì)界面生長動力學研究。

2. 外延生長材料器件制作和探索；異質(zhì)界面器件與物理

3. 對二維材料、柔性電子學等方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎；

分支2, 側(cè)重二維材料, 二維材料生長方向:

1. 大面積二維材料/薄膜（石墨烯、過渡金屬硫族化物等）的生長，有相關(guān)經(jīng)驗者優(yōu)先；新型二維材料的生長與探索；搭建生長設備等；

2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎；

分支3, 側(cè)重二維材料, 二維材料異質(zhì)界面的物理和化學方向:

1. 從事二維材料/二維材料、二維材料/寬禁帶半導體、二維材料/功能分子等異質(zhì)界面上的物理和化學研究；探索電子學、光電或其他類型器件；

2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關(guān)研究經(jīng)歷者更加歡迎。

待遇

1. 選擇進入博士后工作站的研究人員原則上稅前年薪不低于40萬元人民幣（含地方政府人才補貼）；獲得國家自然科學基金、中國博士后科學基金和省級博士后科研項目資助者，杭州市、蕭山區(qū)財政給予相應的配套資助；博士后出站后留科創(chuàng)中心工作，可享受杭州市、蕭山區(qū)政府安家補助。

2. 參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼。

3. 提供一流的實驗與科學研究條件。

4. 提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓。

5. 符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口；

6. 在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務。

7. 符合杭州市高層次人才標準的，可協(xié)助解決子女入園入托問題。

申請材料

1. 個人簡歷：學習工作經(jīng)歷、主要研究工作內(nèi)容等；

2．表明申請人研究能力和學術(shù)水平的成果（如學術(shù)論文、專利、獲獎情況等）；

研究組簡介

本研究組隸屬于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室，和研究室內(nèi)其他方向上展開合作。該研究室在半導體材料專家楊德仁院士指導下開展工作，研究室主任是皮孝東教授。浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（以下簡稱科創(chuàng)中心）是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺，是浙江省打造“互聯(lián)網(wǎng)+”、生命健康和新材料三大科創(chuàng)高地的重大標志性工程。目前科創(chuàng)中心先進半導體研究院正發(fā)展具有從材料到系統(tǒng)集成的全鏈條研發(fā)能力，擁有國際一流的大型儀器設備和超凈實驗室等研發(fā)設施。

申請方法：

方式一